Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства микросхем памяти DDR2 DRAM емкостью в 1 ГБ с использованием 80-нанометровой технологии.

В настоящее время на рынке уже присутствуют чипы памяти DDR2 емкостью в 1 ГБ. Однако выпускаются они с использованием 90-нанометрового техпроцесса.

Переход на более современную 80-нанометровую технологию, по заявления Samsung, позволил снизить себестоимость изготовления микросхем и уменьшить их габариты.

Так, новый чип памяти имеет размеры 11 x 11,5 миллиметра, что примерно на 36 процентов меньше размеров микросхем, выполненных по 90-нанометровой технологии (11 х 18 миллиметров).

Большая часть производимых в настоящее время чипов DRAM емкостью в 1 ГБ используется в серверных модулях памяти объемом 4 ГБ с полной буферизацией и модулях SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) объемом 2 ГБ.

Согласно оценкам специалистов аналитической фирмы Gartner, в текущем году рынок памяти DRAM достигнет объема в 28,7 миллиарда долларов США.

В следующем году данный показатель, предположительно, вырастет до отметки в 32,2 миллиарда долларов, а к 2008 году вплотную приблизится к 38 миллиардам долларов США.

На долю микросхем памяти емкостью 1 ГБ в настоящее время приходится около восьми процентов от всего объема чипов DRAM. Однако к 2008 году, по прогнозам Gartner, доля таких микрочипов увеличится до 36 %, то есть, в четыре с половиной раза.